Pressure and temperature determination with micromachined GAN/SI SAW based resonators operating in the GHZ frequency range

机译：使用基于GHZ频率范围的基于GAN / SI SAW的微机械谐振器确定压力和温度

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This paper describes the experimental development of membrane supported single SAW resonator sensor structures, operating in the 4–12 GHz frequency range. The sensors are manufactured on GaN/Si, using advanced nano-lithographic and micromachining techniques. Rayleigh and Lamb resonance frequency peak shifts vs. pressure and temperature were successfully used for simultaneous determinations of these parameters. Determinations have been performed in the 1–7 Bar pressure range and 20–150°C temperature range. Very high values for the pressure and temperature sensitivities have been obtained, due to the high frequency operation, possible for GaN based SAW type sensors.

机译：本文介绍了在4–12 GHz频率范围内工作的膜支撑单SAW谐振器传感器结构的实验开发。传感器使用先进的纳米光刻和微加工技术在GaN / Si上制造。瑞利和兰姆共振频率峰位移与压力和温度的关系已成功用于同时确定这些参数。测定是在1–7 Bar压力范围和20–150°C温度范围内进行的。由于高频操作，已经获得了非常高的压力和温度灵敏度值，这对于基于GaN的SAW型传感器而言是可能的。

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来源
《International Conference on Solid-State Sensors, Actuators and Microsystems》|2017年|1073-1076|共4页
会议地点
作者
Alexandru Müller; George Konstantinidis; Alexandra Stefanescu; Ioana Giangu; Antonis Stavrinidis; Mircea Pasteanu; George Stavrinidis; Adrian Dinescu;
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正文语种
中图分类
关键词
Temperature sensors; Temperature measurement; Surface acoustic waves; Resonant frequency; Sensitivity; Resonators; Gallium nitride;

机译：温度传感器温度测量表面声波谐振频率灵敏度谐振器氮化镓;

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