Topology; Resistors; Noise figure; Low-noise amplifiers; CMOS technology; Circuit stability;
机译:电感性退化共源低噪声放大器(CS-LNA)的设计空间探索
机译:采用90NM CMOS技术的射频接收器前端低功耗,低噪声放大器的设计与分析
机译:CMOS Cascode公共源段接收器前端的设计与分析,在65 nm技术过程中具有电感变性低噪声放大器
机译:90nm技术下共源低噪声放大器(CS-LNA)各种拓扑的性能分析
机译:共源异质结场效应晶体管放大器中的1 / f AM和PM噪声。
机译:28 nm CMOS LC振荡器电路拓扑中的相位噪声的比较分析:HartleyColpitts和共源交叉耦合差分对
机译:180nm,90nm和45nm技术的两级超低功耗亚阈值运算放大器的设计与比较分析