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Double-Port Double-Throw (DPDT) Switch Matrix Based on Phase Change Material (PCM)

机译：基于相变材料（PCM）的双端口双掷（DPDT）开关矩阵

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This paper presents the design, fabrication and high frequency characterization of GeTe phase change material based double port double throw switch (DPDT) matrix using phase change materials. The material exhibits non-volatile conductivity changes between amorphous high resistance and crystalline low resistance state. Being non-volatile, these RF switches do not require permanent bias to be maintained in a given state. We present the design of 4-terminal RF switch and the integration of this structure into wideband DPDT matrices. The proposed device has less than 2 dB loss and more than 20 dB below 5 GHz. This matrix can retain its state without any applied bias.
机译：本文介绍了使用相变材料的基于GeTe相变材料的双端口双掷开关（DPDT）矩阵的设计，制造和高频特性。该材料在非晶态高电阻状态和结晶态低电阻状态之间表现出非易失性电导率变化。由于是非易失性的，因此这些RF开关不需要永久偏置即可保持在给定状态。我们介绍了4端RF开关的设计以及将此结构集成到宽带DPDT矩阵中的方法。拟议中的器件损耗低于2 dB，在5 GHz以下损耗超过20 dB。该矩阵可以保持其状态，而无需施加任何偏压。

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