Annealing amorphous GaN - a way to nano-crystalline state

著录项

• 来源
  《Transparent Optical Networks, 2003. Proceedings of 2003 5th International Conference on》|2003年|p.337-339|共3页
• 会议地点
• 作者

  Grigorescu; C.E.A.; Lee; H.K.; Lanke; U.D.; Koo; A.B.A.; Ruck; B.J.; Monnereau; O.; Notonier; R.; Tonetto; A.; Trodahl; H.J.;

  展开▼
• 作者单位

  展开▼
• 会议组织
• 原文格式 PDF
• 正文语种
• 中图分类 无线电电子学、电信技术;
• 关键词

  gallium compounds; III-V semiconductors; wide band gap semiconductors; amorphous semiconductors; semiconductor thin films; annealing; nanostructured materials; scanning electron microscopy; X-ray diffraction; Raman spectra; annealing amorphous GaN film;

  机译：镓化合物; III-V族半导体;宽带隙半导体;非晶半导体;半导体薄膜;退火;纳米结构材料;扫描电子显微镜; X射线衍射;拉曼光谱;退火非晶GaN膜;