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首页> 外文会议>International Conference on Wireless and Optical Communications, 2005. 14th Annual WOCC 2005 >New simplified methods for patterning the rear contact of RP-PERChigh-efficiency solar cells
【24h】

New simplified methods for patterning the rear contact of RP-PERChigh-efficiency solar cells

机译：新型简化的RP-PERC背面触点图形化方法高效太阳能电池

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New processing schemes for fabricating the rear contact pattern ofthe PERC-structure (passivated emitter and rear cell) are demonstrated.Both, thermally-grown silicon oxide (SiO2) andplasma-deposited silicon nitride (SiNx) are used as thepassivating rear layer. The first processing scheme utilizes plasmaetching of the dielectric layer through a mask. The plasma process wasoptimized in order to reduce the damage in the silicon base of the cell.Efficiencies of 21.5% and 21.7% have been achieved for SiNxand SiO2 rear layers, respectively. The second approach usesa laser beam to remove the dielectric layer for the rear contactpattern. Efficiencies of 19.7% and 21.3% have been achieved forSiNx and SiO2 rear layers, respectively. Referencecells with the same front structure but conventionally processed rear(photo resist, wet-chemical etching) show only a slightly higherefficiency of 22.0% on cells with a SiO2 passivation layer.This proves that both approaches have a very high potential
机译：新的制造方案的后接触图案制造方案 演示了PERC结构（钝化发射极和后电池）。 热生长的氧化硅（SiO 2 ）和 等离子体沉积的氮化硅（SiN x ）被用作 钝化后层。第一种处理方案利用等离子体 通过掩模对电介质层进行蚀刻。等离子体工艺是 进行了优化，以减少对电池硅基底的损坏。 SiN x 的效率分别达到21.5％和21.7％ 和SiO 2 后层。第二种方法使用 激光束去除背面接触的介电层 图案。分别达到了19.7％和21.3％的效率 SiN x 和SiO 2 后层。参考 电池具有相同的前部结构，但按常规处理后部 （光刻胶，湿法化学蚀刻）仅显示稍高 SiO 2 钝化层的电池效率为22.0％。 这证明这两种方法都具有很高的潜力

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