机译:响应面法优化控制直臂Czochralski晶体生长中的氧气浓度
机译:通过使用蒸气压控制的czochralski方法(VCz)在低温梯度下生长半绝缘GaAs晶体
机译:直拉硅晶体生长中温度梯度的测量
机译:Czochralski单晶硅生长过程中熔体表面温度的无数据驱动的无模型自适应滑模控制
机译:固体颗粒为单晶硅的连续Czochralski生长提供了营养。
机译:硅纳米晶体:阳离子胶体纳米晶体具有胶体稳定性pH无关的正表面电荷和尺寸可调的近红外至红色光谱范围内的光致发光(Adv。Sci。2/2016)
机译:Czochralski技术生长磁性硅单晶过程中零高斯平面的位置对熔体界面氧浓度的影响