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DESIGNING SI/Sl_(1-X)GE_X SUPERLATTICES WITH TAILORED THERMAL TRANSPORT PROPERTIES

机译：设计具有热传输特性的SI / Sl_（1-X）GE_X超级晶格

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Si/Si_(1-x) superlattices are promising candidates for thermoelectric energy conversion applications [1,2], as the phonon transport through them can be inhibited while maintaining desirable electrical transport properties. No comprehensive experimental study has been performed to map the thermal conductivity design space accessible by Si/Ge nanocomposites. By using atomistic modeling tools, interesting areas of the design space can be identified and then further explored experimentally.In this work, we use molecular dynamics (MD) simulations and the direct method to predict the thermal conductivity of bulk Si, bulk Ge, Si_(1-x)Ge_x alloys, Si/Ge superlattices (with equal Si and Ge layer thicknesses), and Si/Si_(0.7)Ge_(0.3) superlattices (with the Si layer being twice as thick as the alloy layer). The predictions are compared to experimental data.
机译：Si / Si_（1-x）超晶格是热电能量转换应用的有前途的候选材料[1,2]，因为声子通过它们的传输可以被抑制，同时保持理想的电传输性能。尚未进行全面的实验研究来绘制Si / Ge纳米复合材料可访问的导热设计空间。通过使用原子建模工具，可以识别设计空间中有趣的区域，然后通过实验进行进一步探索。 在这项工作中，我们使用分子动力学（MD）模拟和直接方法来预测块状Si，块状Ge，Si_（1-x）Ge_x合金，Si / Ge超晶格（具有相同的Si和Ge层厚度）的热导率和Si / Si_（0.7）Ge_（0.3）超晶格（Si层的厚度是合金层的两倍）。将预测结果与实验数据进行比较。

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