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首页> 外文会议>International Interconnect Technology Conference >A modified berman model for the prediction of time-dependent dielectric breakdown (TDDB) characteristics of low-k/ULK interconnect dielectrics from dual-voltage ramp dielectric breakdown (DVRDB) test
【24h】

A modified berman model for the prediction of time-dependent dielectric breakdown (TDDB) characteristics of low-k/ULK interconnect dielectrics from dual-voltage ramp dielectric breakdown (DVRDB) test

机译：通过双电压斜坡电介质击穿（DVRDB）测试来预测低k / ULK互连电介质的时变电介质击穿（TDDB）特性的改进berman模型

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We present a modified Berman model that relates breakdown voltage distributions, from dual voltage ramp dielectric breakdown (DVRDB) test, to the distribution of time-to-fail (TTF) during constant voltage stress (CVS) conditions, assuming that dielectric failure behavior under a constant voltage stress follows the square-root E-model. The methodology presented in this work demonstrates a fast and very effective way of extracting the voltage acceleration parameter (i.e., electric field dependence) and predicting TTF under CVS TDDB test conditions. Both low-k (k=3D2.7) and ULK(k<2.5) DVRDB and CVS TDDB data of 45nm and 32nm dielectrics are presented, along with the model predictions and Monte-Carlo simulation results.
机译：我们提出一种改进的Berman模型，该模型将击穿电压分布（从双电压斜坡电介质击穿（DVRDB）测试）与恒定电压应力（CVS）条件下的失效时间（TTF）分布相关联，并假设在恒定的电压应力遵循平方根E模型。这项工作中介绍的方法论证明了在CVS TDDB测试条件下提取电压加速参数（即电场相关性）和预测TTF的快速有效的方法。同时介绍了45nm和32nm电介质的低k（k = 3D2.7）和ULK（k <2.5）DVRDB和CVS TDDB数据，以及模型预测和蒙特卡洛仿真结果。

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