首页> 外文会议>2010 32nd Electrical Overstress/ Electrostatic Discharge Symposium >A study on the application of on-chip EOS/ESD full-protection device for TMR heads
【24h】

A study on the application of on-chip EOS/ESD full-protection device for TMR heads

机译:片上EOS / ESD全保护器件在TMR磁头中的应用研究

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摘要

On-chip EOS/ESD full-protection for TMR heads can be achieved using shunt diodes that are mounted permanently in the TMR device. This consists of two semiconductor diodes connected in parallel and in reverse order across the reader pads of TMR heads. This method also increases the ESD threshold of the TMR heads.
机译:通过使用永久安装在TMR器件中的并联二极管,可以实现针对TMR磁头的片上EOS / ESD全面保护。它由两个半导体二极管组成,两个半导体二极管在TMR磁头的读取器焊盘之间并联且反向连接。此方法还增加了TMR磁头的ESD阈值。

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