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A Drift-Diffusion Model of Pinned Photodiode Enabling Opto-Electronic Circuit Simulation

机译：光电二极管固定光电二极管的漂移扩散模型

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A drift-diffusion analytical model with bounded boundary conditions for CMOS image sensors (CIS) in a vertical pinned photodiode (PPD) is presented in this paper. According to the comparison with the numerical simulation and measured data, this model has been proved to be valid for fast simulation of optoelectronic integrated circuit (OEIC). Furthermore, it has been implemented into Hspice, to capture the specific characteristics of sensor applications with PPDs. This PPD model including concise mathematical formulation of carrier transport mechanism is useful in developing generic compact models which includes the advanced physical effects.
机译：本文提出了一种在垂直钉扎光电二极管（PPD）中具有边界边界条件的CMOS图像传感器（CIS）的漂移扩散分析模型。通过与数值模拟和实测数据的比较，该模型已被证明对光电集成电路（OEIC）的快速仿真是有效的。此外，它已在Hspice中实现，以捕获具有PPD的传感器应用程序的特定特性。该PPD模型包括载流子传输机制的简洁数学公式，可用于开发包括高级物理效应的通用紧凑模型。

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