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首页> 外文会议>IEEE International Ultrasonics Symposium >A simple technique for obtaining (1120) or (1010) textured ZnO films by RF bias sputtering
【24h】

A simple technique for obtaining (1120) or (1010) textured ZnO films by RF bias sputtering

机译：通过RF偏置溅射获得（1120）或（1010）或（1010）纹理ZnO膜的简单技术

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c-axis parallel-oriented ZnO piezoelectric films, (1120) or (1010) textured films, are good candidates for shear mode devices. Ion bombardment to the substrate during film deposition suppresses the usual (0001)-oriented grain growth, resulting in the preferential development of unusual (1120) or (1010) orientation. This is because the most densely packed (0001) plane should incur more damage by ion bombardment than the (1120) and (1010) planes. In this study, we propose RF substrate bias RF magnetron sputtering method to induce the ion bombardment to the substrate. This method made possible to form preferential (1120) or (1010) orientation in the conditions where these orientations could not be formed in case of DC bias.
机译：C轴平行定向的ZnO压电薄膜，（1120）或（1010）纹理薄膜，是用于剪切模式装置的良好候选者。在膜沉积期间对基材的离子轰击抑制通常（0001）的谷物生长，导致不寻常的（1120）或（1010）取向的优先发展。这是因为最密集的填充（0001）平面应该由离子轰击产生更多的损坏而不是（1120）和（1010）平面。在该研究中，我们提出了RF衬底偏置RF磁控溅射方法，以诱导离子轰击到基材上。该方法可以在在DC偏压的情况下不能形成这些取向的条件中形成优先权（1120）或（1010）取向。

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