An ultra low noise amplifier at X band

机译：X波段的超低噪声放大器

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The design and development of a low noise amplifier that exhibits sub dB noise figures at X band, using a commercially available pHEMT process is presented here. Novelties in our design include the use of stabilizing networks that don't employ resistors and the use of transmission line based inductors that provide a higher Q alternative to spirals. These techniques serve to minimize the lowest achievable noise figure while allowing unconditional stability, a pre-requisite in commercial, monolithic LNAs. The designed low noise amplifier works from 9 to 11 GHz with roughly 30 decibels of gain over the band and sub decibel noise figures.

机译：本文介绍了一种低噪声放大器的设计和开发，该放大器使用市售的pHEMT工艺在X波段上表现出亚dB的噪声系数。我们设计中的新颖之处包括不使用电阻器的稳定网络的使用，以及基于传输线的电感器的使用，这些电感器提供了更高的Q替代螺旋。这些技术可最大程度地降低最低可实现的噪声系数，同时提供无条件的稳定性，这是商用整体式LNA的先决条件。设计的低噪声放大器在9至11 GHz的频率范围内工作，整个频带和亚分贝噪声系数的增益约为30分贝。

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来源
《IEEE MTT-S International Microwave and RF Conference》|2013年|1-4|共4页
会议地点
作者
Manohar S.; Kirty V.S.R.;
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正文语种
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关键词
Impedance matching; Low noise amplifiers; Resistive loading;

机译：阻抗匹配;低噪声放大器;电阻负载;

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