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【24h】

A 12.7dBm IIP3, 1.34dB NF, 4.9GHz–5.9GHz 802.11a LNA in 0.13 µm PD-SOI CMOS with Body-Contacted transistor

机译：0.13 µm PD-SOI CMOS器件中的12.7dBm IIP3、1.34dB NF，4.9GHz–5.9GHz 802.11a / n LNA，带有体接触晶体管

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This paper presents a fully integrated 802.11a LNA. Unlike published SOI LNAs, Body-Contacted transistor has been chosen for its superior linearity performance. Traditional drawback of Body-Contacted transistor is Gate to Body parasitic capacitance impacting the NF; it has been minimized through optimized layout. The paper highlights Body-Contact interest before going through LNA optimization, including transistor sizing, high Q inductors implementation and layout. The LNA is processed in STMicroelectronics 0.13-μm partially-depleted silicon-on-insulator (PD-SOI) CMOS with 1.2V supply voltage. The LNA provides 12.7dBm IIP3 high linearity, for a 9dB gain, 1.34dB NF for 9.6mW power consumption.

机译：本文介绍了一个完全集成的802.11a / n LNA。与已发布的SOI LNA不同，体接触晶体管因其出色的线性性能而被选中。人体接触晶体管的传统缺点是栅极到人体的寄生电容会影响NF。通过优化布局将其最小化。本文在介绍LNA优化之前，重点介绍了人体接触的兴趣，包括晶体管尺寸，高Q电感器的实现和布局。 LNA在STMicroelectronics0.13μm部分耗尽型绝缘体上硅（PD-SOI）CMOS中进行处理，电源电压为1.2V。 LNA提供12.7dBm IIP3的高线性度，增益为9dB，NF为1.34dB，功耗为9.6mW。

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来源
《IEEE MTT-S International Microwave Symposium》|2016年|1-3|共3页
会议地点
作者
R. Paulin; P. Cathelin; G. Bertrand; A. Monroy; J. More-He; T. Schwartzmann;
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作者单位

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原文格式 PDF
正文语种
中图分类
关键词
Transistors; Inductors; Noise measurement; Radio frequency; CMOS integrated circuits; Logic gates; Layout;

机译：晶体管;电感器;噪声测量;射频; CMOS集成电路;逻辑门;布局;

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