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首页> 外文会议>IEEE MTT-S International Microwave Symposium >High gain 220GHz power amplifier MMICs with minimal footprint
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High gain 220GHz power amplifier MMICs with minimal footprint

机译：具有最小占位面积的高增益220GHz功率放大器MMIC

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Two power amplifier MMICs, designed for minimal footprint, and a low insertion loss microstrip to waveguide transition are presented at 220GHz. The two-stage power amplifier ((260×1120)μm2) exhibits 13.5mW of output power and 13.3dB of gain at 207GHz. The four-stage power amplifier, designed in a (260×2085)μm2 area, provides an output power higher than 15mW associated with 19.8dB of gain up to 220.5GHz, with a peak output power of 28mW measured at 211.5GHz. The microstrip to waveguide transition was designed to fit within a width of 280μm, in order to limit the excitation of unwanted substrate modes. These three devices were designed for integration on a single, rectangular chip transmitter.
机译：两种功率放大器MMIC设计用于最小占位面积，并且具有低插入损耗微带至波导的过渡频率为220GHz。两级功率放大器（（260×1120）μm2）在207GHz频率下具有13.5mW的输出功率和13.3dB的增益。设计在（260×2085）μm2面积内的四级功率放大器提供高于15mW的输出功率，在高达220.5GHz的频率下具有19.8dB的增益，在211.5GHz处测得的峰值输出功率为28mW。从微带到波导的过渡设计为适合280μm的宽度，以限制不必要的基板模式的激发。这三个设备被设计用于集成在单个矩形芯片发送器上。

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