Ga蒸気を用いる化学気相法により成長したGaN薄膜の発光特性

机译：GA蒸气通过化学气相法生长的GaN薄膜的发光特性

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あらましGa蒸気とNH_3ガスを原料として用いた化学気相成長法（CVD)により，c面サファイア基板上に窒化ガリウム（GaN)薄膜の成長を行い，主として発光特性に焦点をあて膜特性の評価を行った.まず、このCVDにおいても，GaNの高温成長前に約600°Cで低温緩衝層を堆積させることにより，GaN膜の結晶性および発光特性の向上に繋がることがわかった.また，GaNの高温成長前にGaを先行供給して熱処理を施すことにより，低温緩衝層を堆積させることなく， GaN膜を平坦化できる可能性が示唆された.さらに，発光特性の改善を確認した.

机译：发明内容通过（CVD）使用NH_3气体作为原料的Ga蒸气和化学气相沉积，在C面蓝宝石衬底上进行氮化镓（GaN）薄膜的生长，薄膜特性的评价主要是发射特性。首先，通过在GaN的高温生长之前通过在大约600℃下沉积低温缓冲层，可以接触CVD，发现导致GaN膜的结晶度和发光特性的上方的上方。此外，通过在高温生长之前通过热处理GaN的热处理，不沉积低温缓冲层，已经提出了平坦化GaN薄膜的可能性。此外，检查排放特性底部的改善。

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来源
《情報ディスプレイ研究会》|2018年|112 p.|共3页
会议地点
作者
増田　裕一郎; 長瀬　剛; 国枝　航; 光野　徹也; 小南　裕子; 原　和彦;
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作者单位

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正文语种
中图分类一般性问题;
关键词
窒化ガリウム; フォトルミネッセンス; 化学気相法; 薄膜成長;

机译：氮化镓;光致发光;化学发作方法;薄膜生长;

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