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依頼講演非晶質酸化物半導体の空乏状態を利用した新規薄膜デバイスのシミュレーション検討

机译:所要求的讲座使用无定形氧化物半导体的清真状态模拟新型薄膜装置

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摘要

非晶質酸化物半導体(AOS)を用いた新規薄膜デバイスをデバイスシミュレーションにより検討した. シミュレーション結果より,AOS薄膜トランジスタ(TFT)のオフ動作におけるAOSの空乏状態では,イオン化した ドナー型捕獲準位又は正孔を十分誘起できないことが示唆された.また,AOS空乏状態の特性により,第一のメタ ルゲートと第二のAOSゲートを有する積層ゲートTTTがNAND的な動作を示した.これにより,AOSの空乏状態 を利用した新規薄膜デバイスの新しい機能を確認することができた.
机译:通过器件模拟检查使用非晶氧化物半导体(AOS)的新型薄膜装置。从仿真结果,在AOS薄膜晶体管(TFT)OFF操作中AO的耗尽状态,电离供体型捕获水平或者建议不能充分地诱导孔。此外,由于AOS耗尽状态的特性,具有第一金属栅极的层压栅极TTT和第二AOS门显示NAND操作。这使得我们可以能够使用耗尽状态确认新薄膜设备的新功能。

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