SiO_2/GaN MOS構造における電極形成後ァニール前後の界面及び膜中電荷の評価

机译：在SiO_2 / GaN MOS结构中的电极形成前后电极评估及薄膜电荷评估

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SiO_2膜厚を変化させたSiO_2/GaN MOSキャパシタに対して，電極形成後ァニール(PMA)前後の電気的特性を測定することで，界面及び絶縁膜中の電荷分布を総合的に評価した.PMA前においては，実効総電荷は膜厚の增加に伴って減少する傾向がみられた.SiO_2膜中にトラップされた電荷がSiO_2バルタ中に一様に存在し，界面近傍に固定電荷が存在していると仮定すると，実効膜中電荷は負の値を持ち，実効界面電荷は正の値を持つことが分かった.PMA後のサンプルでは，SiO_2膜厚が薄い領域(<25nm)において，膜厚の減少に伴って実効総電荷が減少する傾向がみられた.これは，正の値を持つ界面電荷の分布がPMAによって広がったためだと考えられる.PMAは膜中及び界面電荷の低減に有効である一方で，界面電荷の分布を広げることがわかった.

机译：针对/ GAN电容器具有不同厚度通过电极形成Aniru（PMA）电特性之测量并且在界面电荷分布并在面绝缘膜综合评价中有效总电荷电荷倾向于随增加厚被困在被认为均匀地存在于巴尔塔降低固定电荷在界面附近存在并且假设有效电荷具有负值，.PMA有效界面后的样品充电被发现具有正值薄膜厚度区域纳米），该膜有效倾向总电荷观察到厚度减小而降低。这是，.PMA表面电荷分布被认为是因为传播通过具有降低膜界面电荷，同时是有效正值时，人们发现，扩大表面电荷分布

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来源
《情報ディスプレイ研究会》|2019年|32 p.|共4页
会议地点
作者
古川暢昭; 上沼睦典; 石河泰明; 浦岡行治;
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作者单位

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会议组织
原文格式 PDF
正文语种
中图分类一般性问题;
关键词
GaNMOS; SiO_2; 酸化膜電荷; 電極形成後ァニール;

机译：GaNMOS;SiO_2;酸化膜电荷;电极形成后ァニール;

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