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首页> 外文会议>Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon >Discussion on the 1/f noise behavior in Si gate-all-around nanowire MOSFETs at liquid helium temperatures
【24h】

Discussion on the 1/f noise behavior in Si gate-all-around nanowire MOSFETs at liquid helium temperatures

机译：液氦温度下Si门 - 全部纳米线MOSFET中的1 / F噪声行为探讨

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In this work, gate-all-around nanowire MOSFETs are studied at very low temperature (4.2 K) and drain voltage. It is shown that these conditions make quantum transport prevail over the usual drift diffusion mechanism. The 1/f noise level is investigated in order to study the impact of quantum transport on the noise mechanism. Generation-recombination noise shows the presence of traps in the gate oxide and in the silicon film. This work is completed by the low frequency noise spectroscopy analysis.
机译：在这项工作中，在非常低的温度（4.2 k）和漏极电压下研究了门 - 全部纳米线MOSFET。结果表明，这些条件使量子传输在通常的漂移扩散机制上占上风。研究了1 / F噪声水平，以研究量子传输对噪声机制的影响。一代重组噪声显示栅极和硅膜中的陷阱存在。该工作通过低频噪声光谱分析完成。

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