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【24h】

ESD Challenges in Advanced FinFET and GAA Nanowire CMOS Technologies: Designing Diode Based ESD Protection in Advanced State of the Art Technologies

机译:先进FinFET和GAA纳米线CMOS技术中的ESD挑战:设计先进技术中基于二极管的ESD保护

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摘要

This article consists of a collection of 100 slides from the author's tutorial conference presentation. Some of the specific areas/topics discussed include: Technology Options Impacting ESD Diode Performance; ESD in the State-of-the-art FinFET Technology; New Process Options; Gated Diode vs. STI Diode; Proposed Solutions; Outlook on ESD Challenges in Future CMOS Technology Nodes; and Latchup (LU) Risk in Bulk FinFET Technology.
机译:本文由作者的教程会议演示文稿中的100张幻灯片组成。讨论的一些特定领域/主题包括:影响ESD二极管性能的技术选择;最新的FinFET技术中的ESD;新工艺选项;门控二极管与STI二极管拟议的解决方案;未来CMOS技术节点中的ESD挑战展望;以及Fin Fin技术中的闩锁(LU)风险。

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