An 8.5-11 GHz CMOS Transmitter with >19 dBm OP1dB and 24 Efficiency

机译：8.5-11 GHz CMOS发射器，> 19 dBm OP 1dB ，效率为24％

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This paper presents the first reported highly linear, power efficient, and wideband X-band transmitter (TX) with a fully integrated power amplifier (PA) in 65 nm bulk CMOS. The TX features baseband current-bleeding, headroom-efficient and low-noise current mirror, harmonic trapping on the upconversion mixer, wideband PA inter-stage matching (IM), bulk-floating connection on the PA output stage, as well as efficient output matching network. Fabricated in 65 nm bulk CMOS, the TX achieves 1dB bandwidth from 8.5 GHz to 11 GHz, >19 dBm OP_1dB with 24 % system efficiency, and -134.9/-135 dBm/Hz out-of-band noise for the lower and upper sidebands. To the author's best knowledge, this work is the highest efficiency X-band, PA-included TX in CMOS at OP_1dB.

机译：本文介绍了第一个报告的高度线性，高功率效率的宽带X波段发射机（TX），该发射机在65 nm体CMOS中具有完全集成的功率放大器（PA）。 TX具有基带电流泄漏，高净空效率和低噪声电流镜，上变频混频器上的谐波陷波，宽带PA级间匹配（IM），PA输出级上的大容量浮置连接以及高效输出匹配网络。 TX采用65 nm大块CMOS制造，在8.5 GHz至11 GHz范围内实现了1dB带宽，> 19 dBm OP _{1dB
具有24％的系统效率，上下边带的-134.9 / -135 dBm / Hz带外噪声。据作者所知，这项工作是OP上效率最高的X波段，CMOS中包含PA的TX。
_{1dB
。}}

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来源
《IEEE Custom Integrated Circuits Conference》|2019年|1-4|共4页
会议地点
作者
Jinbo Li; Ran Shu; Qun Jane Gu;
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作者单位

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会议组织
原文格式 PDF
正文语种
中图分类
关键词
Switches; Linearity; Power amplifiers; Wideband; Mixers; Baseband;

机译：开关;线性;功率放大器;宽带;混频器;基带;

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