CSTBT™構造を持つROIGBTにおける高アバランシェ破壊耐量のためのDiode構造

机译：具有CSTBT™结构的ROIGBT中具有高抗雪崩断裂特性的二极管结构

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IGBT領域，Diode領域，および終端領域の3つの領域を持つRC-IGBTにおいて，薄ウェハ化による損失性能の改善を進めていくと，内在するpnp構造の負性微分抵抗特性に起因するァパランシェ破壊を引き起こしゃすくなる問題があった。そこで我々は，開発を進めているCSTBT™構造をもつRC-IGBTを用い，その構造的特徴を活用して高ァバランシェ破壊耐量を確保しうるDiode構造を検討した。結果として，Diode領域のトレンチピッチ（W_(dtp))をパラメータとし，上述の3つの領域の耐圧パランスを調整することにより，損失性能を損なうことなく高アバランシェ破壊耐量を確保することに成功した。

机译：在具有IGBT区域，二极管区域和端子区域三个区域的RC-IGBT中，如果通过薄化晶片来改善损耗性能，则由于内部pnp结构的负微分电阻特性而导致的寄生虫破裂将有一个导致它变得脆弱的问题。因此，我们使用了正在开发的具有CSTBT™结构的RC-IGBT，并研究了可通过利用其结构特性确保高雪崩耐断裂性的Diode结构。结果，通过使用二极管区域中的沟槽间距（W_（dtp））作为参数来调节上述三个区域中的耐压平衡，我们成功地确保了高雪崩耐断裂性而不损害损耗性能。

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来源
《電子デバイス研究会;半導体電力変換研究会》|2018年|51-54|共4页
会议地点
作者
曽根田真也; 赤尾真哉; 高橘徹雄; 古川彰彦;
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作者单位

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关键词
逆導通型IGBT; CSTBT; アバランシェ; 破壊耐量;

机译：反向导通IGBT; CSTBT;雪崩;击穿电阻;

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