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Effect of B2O3 Doping on Properties of ZnO-Y2O3 Varistor

机译：B2O3掺杂对ZnO-Y2O3变阻器性能的影响

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In this paper, ZnO varistors prepared from submicron ZnO powders are studied, and the effects of different sintering temperatures and B203(0~1%mol) doping amount on the electrical properties of ZnO varistors are discussed. When the B2O3 doping amount is about 0.50 mol%, the potential gradient and current flow capacity of varistor are the lowest. When the B2O3 doping amount continues to increase, the potential gradient will slightly increase and the current flow capacity will be significantly enhanced. Doping B2O3 has little effect on leakage current and nonlinear coefficient of ZnO-Y2O3 varistor. Doping B2O3 can effectively reduce the sintering temperature, and ZnO-Y 2O3varistors have better electrical properties when the sintering temperature is 1110°C.
机译：本文研究了由亚微米ZnO粉末制备的ZnO压敏电阻，讨论了不同烧结温度和B203（0〜1％摩尔）掺杂量对ZnO变阻器电性能的影响。当B. 2 O. 3 掺杂量为约0.50摩尔％，压敏电阻的电位梯度和电流流量最低。当B. 2 O. 3 掺杂量继续增加，电位梯度将略微增加，电流流量将得到显着提高。掺杂B. 2 O. 3 对ZnO-Y的漏电流和非线性系数几乎没有影响 2 O. 3 压敏电阻。掺杂B. 2 O. 3 可以有效地减少烧结温度，ZnO-y 2 O. 3 当烧结温度为1110°C时，压敏电阻具有更好的电性能。

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