• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文会议>応用物理学会学術講演会;応用物理学会 >自己触媒VLS 法を用いた再成長InPコアシェルナノワイヤの形状変化
【24h】

自己触媒VLS 法を用いた再成長InPコアシェルナノワイヤの形状変化

机译：使用自催化VLS法，重新生长INP核心壳纳米线的形状变化的变化

获取原文
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

Ⅲ-Ⅴ族化合物ナノワイヤの成長の一つとしてMOVPE による自己触媒VLS 法が挙げられる。この成長方法はAu等の金属粒子の代わりに同じⅢ族元素を触媒として使用することでナノワイヤを成長することができる。我々はこれを用いてInP(111)B 基板上にInP コアを形成した後にGaInAs/InP マルチシェルを形成することでInP/GaInAs コアマルチシェルナノワイヤを成長し、物性評価、及びデバイス応用に向けた研究を行っている。本報告では連続成長法および再成長法で作製されたInP/InP コアシェルナノワイヤの形状について述べる。
机译：作为III-V复合纳米线的生长之一提到了MOVPE自助催化剂VLS方法。这种生长方法是相同的而不是金属颗粒，如au使用III元素作为催化剂的纳米粉可以成长。我们使用这一点在INP（111）B基板上形成INP核心后通过形成GAINAS / INP多壳INP / GAINAS Core Multi Shel纳米线长度，物理性评估和对设备应用的研究它是进行的。在本报告中，连续增长方法和重现INP / INP核心壳纳米线更长描述ya的形状。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号