• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文会议>応用物理学会学術講演会;応用物理学会 >1T’-MoTe_2と2H-MoTe_2のコンタクトの特性の評価
【24h】

1T’-MoTe_2と2H-MoTe_2のコンタクトの特性の評価

机译：评估1T'-MOTE_2和2H-MOTE_2的接触特性

获取原文
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

MoS_2を代表とする遷移金属ダイカルコゲナイドはバンドギャップを有し、高いon/off比を持つことから、二次元半導体材料としてデバイス応用のための研究が盛hに行われている。MoTe_2はバルクでは約0.9 eVのバンドギャップを有する間接遷移半導体、単層では1.0 eVのバンドギャップを持つ直接遷移半導体として知られている。これらの性質から、MoS_2とは異なり，両極性動作するFETへの応用が期待されている。MoTe_2には、半導体相の2H構造と半金属相の1T’（1T）構造の結晶多型の存在が知られている。MoTe_2結晶に対して高強度のレーザーを照射することによって、結晶構造が三角プリズム型(2H)から八面体型(1T’)へと変化し、レーザー照射によって得られた1T’-MoTe_2は2H-MoTe_2に対してオーミックなコンタクト特性を示すと報告されている。しかし、これに対して我々は、高強度のレーザー照射によって生成された部分は1T’相ではなく、光熱分解されたTeが伝導を担っていることを明らかにしてきた。それらの結果を踏まえた本研究の目的は、本当の1T’-MoTe_2と2H-MoTe_2コンタクト特性を調べることである。2H-MoTe_2の剥片を基板の上にへき開し、その両側に1T’-MoTe_2結晶をドライトランスファーによって部分的に積層し、更に1T’-MoTe_2の上に金属電極を作製することで、図1に示すようなFET構造を作製した。1T’によるコンタクトはファンデルワールス力で接合するため、通常の金属蒸着とは異なり、フェルミレベルピンニングは起こらないと考えると，ショットキーリミット(S=1)に近い状況が期待される。真空環境下において、異なる温度でのゲート電圧特性を測定した結果、図2に示す特性が得られた。ゲート電圧のスイープに対して両極性特性を示すが、n型よりもp型の方が多くの電流が観測されており，キャリア注入障壁は非対象であることがわかる。またこれら結果から、1T’-MoTe_2と2H-MoTe_2接合はショットキーコンタクトであることをわかった。高温から低温までの温度特性から得られた障壁の高さやS値等について議論する。
机译：如二硫化钼，过渡金属dicarkogenide的带隙，具有高的开/关比，因此对于设备应用中作为二维半导体材料的研究中进行。 MOTE_2已知为具有约0.9 EV的带隙，一个单一的层，以及具有1.0 EV带隙的直接跃迁半导体间接跃迁半导体。从这些特性，不像二硫化钼，它有望被应用于操作双极场效应晶体管。 MOTE_2在半导体相2H结构和1T“（1T）半金属相的结构的结晶多态性的存在是已知的。 MOTE_2通过照射高强度的结晶，从三角棱镜型（2H）到八面体型（1T“），和1T'-MOTE_2的晶体结构的变化，通过激光照射得到的是2H-据报道，以指示用于欧姆接触特性MOTE_2。然而，对于这一点，我们已经发现，由高强度激光照射所产生的部分不1T“相，但在光热分解TE是负责进行。基于这些结果，这项研究的目的是检验真正1T'-MOTE_2和2H-MOTE_2接触特性。 2H-MOTE_2的剥离尖端被吹到衬底和1T'-MOTE_2晶体部分地由干转移层压并进一步如图所示，制作生产上1T'-MOTE_2一种FET结构的金属电极。由于由1T接触“由Vandelwarth力接合，不像正常金属气相沉积，则有望接近肖特基极限（S = 1），考虑到费米能级钉扎不会发生。下真空环境中，在图2中所示的特性为在不同温度下测量的栅极电压特性的结果得到的。尽管示出用于栅极电压的扫pipolarity特性，许多电流多个p型比N型，载流子注入势垒是非靶向。从这些结果，已发现1T'-MOTE_2和2H-MOTE_2结是肖特基接触。我们将讨论从高温到低温的温度特性获得的势垒的高度和S值。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号