KOH 溶液の基材上への滴下によるYBa_2Cu_4O_8 エピタキシャル膜の形成

机译：通过逐滴滴滴溶液形成YBA_2CU_4O_8外延膜

获取原文

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

YBa_2Cu_3O_y に代表されるY 系超伝導体は,その結晶構造の異方性から超伝導臨界電流が結晶方位に依存するため，高特性化には結晶配向制御が必要である．液相エピタキシャル法は，良質な結晶を得られる優れた結晶成長法であるが，従来のCuO–BaO 溶媒では約900°Cの高温の融液を用いるため，基板の腐食という懸念があり，金属基材の使用における課題となっている．一方，水酸化カリウム(KOH)溶媒を用いた場合は，約600°C でREBa_2Cu_4O_8 (RE124)の結晶成長が可能であるため，基材の腐食を防げると期待できるが，溶液を長時間安定させることが困難であった．そこで本研究ではKOH 溶液を配向性基材へ滴下することで，YBa_2Cu_4O_8 のエピタキシャル膜の形成が可能であるかを調べた．

机译：YBA-2CU_3O_Y型超导由YBA_2CU_3O_Y表示身体是晶体结构各向异性的超导临界输出由于流量取决于晶体取向，表征高需要晶体取向控制。液相外延该方法是能够获得高质量晶体的良好晶体生长方法然而，传统CuO-BaO溶剂中约900℃基材的腐蚀，因为它使用高温熔体金属基材使用中的担忧和问题ing。同时，氢氧化钾（KOH）溶剂如果使用，大约600°C REBA_2CU_4O_8（RE124）基材的腐蚀，因为晶体生长它可以预期防止它，但解决方案稳定了很长时间很难因此，在这项研究中通过将KOH溶液滴到定向基板上，可以形成YBA_2CU_4O_8的外延薄膜的形成它被检查了。

著录项

来源
《応用物理学会学術講演会;応用物理学会》|2020年|09.004-09.004|共1页
会议地点
作者
堀内愼之介; 長瀬侑弥; 舩木修平; 山田容士;
展开▼
作者单位

展开▼
会议组织
原文格式 PDF
正文语种
中图分类
关键词

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. MOCVD法によるGaN、GaInN上への厚膜AlInN膜のエピタキシャル成長 [J] . 山中瑞樹, 三好実人, 江川孝志, 電子情報通信学会技術研究報告. 電子部品·材料. Component Parts and Materials . 2019,第303期

机译：甘蓝厚膜族胶片的外延生长，MOCVD方法Gainn
2. MOCVD法によるGaN、GaInN上への厚膜AlInN膜のエピタキシャル成長 [J] . 山中瑞樹, 三好実人, 江川孝志, 電子情報通信学会技術研究報告. 電子デバイス. Electron Devices . 2019,第302期

机译：甘蓝厚膜族胶片的外延生长，MOCVD方法Gainn
3. 光MOD法によるGd_3Ga_5O_(12)基板上へのBi,Ga:Nd_3Fe_5O_(12)エピタキシャル膜の作製 [J] . 電子情報通信学会技術研究報告. 磁気記録·情報ストレージ. Magnetic Recording . 2019,第232期

机译：Bi，Ga：ND_3FE_5O_（12）通过光MOF法在GD_3GA_5O_（12）衬底上的外延膜
4. 無電解めっきによるシリコン上への金のへテロエピタキシャル成長--めっき膜の密着性に及ぼす効果 [C] . 山田直輝, 厚芝博之, 阪本進表面技術協会講演大会 . 2015

机译：无电镀硅膜粘附在硅中的影响
5. 有機金属気相成長法によるSi基板上へのGaAsのヘテロエピタキシャル成長の研究 [D] . 秋山, 正博 1991

机译：金属有机气相外延法在Si衬底上异质外延生长GaAs。
6. 有機金属気相成長法によるSi基板上へのGaAsのヘテロエピタキシャル成長の研究 [O] . 秋山正博 1991

机译：金属有机气相外延法在Si衬底上异质外延生长GaAs。

KOH 溶液の基材上への滴下によるYBa_2Cu_4O_8 エピタキシャル膜の形成

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅