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ナノビームX 線回折法による高Ge 組成SiGe／組成傾斜SiGe／Si積層構造の深さ分解結晶性トモグラフィック評価

机译：深度分辨的晶体晶体性断层摄影评价高GE成分SiGe /组合物通过纳米辐射X射线衍射方法倾斜SiGe / Si层压结构

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高Ge 組成SiGe／組成傾斜SiGe／Si 積層構造は、次世代pMOS チャネル材料である歪Ge の成膜用ストレッサとして期待されている。高品質な歪Ge 膜の作製には、その基板となる高Ge 組成SiGe 層の欠陥低減が不可欠であり、そのためにはSi 基板から組成傾斜層を含む膜全体の結晶構造の変化を深く理解することが重要である。本研究では、大型放射光施設SPring-8 のナノビームX 線回折（nanoXRD）光学系において近年開発した深さ分解結晶評価手法を改良し、当該SiGe 積層構造の3 次元的な結晶性の変化を高精度に取得し調査した結果を報告する。

机译：高GE组合物SiGe /组合物倾斜SiGe / Si层压结构是下一代PMOS通道材料预计它是形成GE的压力源。高质量的应变GE薄膜制剂是高底物GE组合物SiGe层的缺陷降低是必需的，使得整个膜含有来自Si衬底的组合物倾斜层重要的是要深入了解晶体结构的变化。在这项研究中，大型辐射设施Spring-8纳米光束X射线衍射（NanoxRD）改善了近年来开发的深度分辨的晶体评估方法，以及获得三维结晶度的SiGe层压结构，并以高精度的结果检查。

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来源
《応用物理学会学術講演会;応用物理学会》|2020年|12.052-12.052|共1页
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志田和己; 藤平哲也; 林侑介; 隅谷和嗣; 今井康彦; 木村滋; 酒井朗;
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