InAlN/GaNヘテロ構造におけるキャリア輸送特性のAlNスペーサ層膜厚依存性

机译：ALN间隔层膜厚度依赖性载体传输性质在Inaln / GaN异质结构中

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従来から広く研究されてきたAlGaN/GaN HEMTに対して、近年InAlN/GaN構造が注目されている。InAlN/GaN HEMT構造はヘテロ界面が格子整合する組成比を選択でき、歪が発生しないために、デバイスの信頼性向上が期待できる。またAlGaN/GaNよりも強い自発分極効果を有するため、薄いバリア層で高い2DEG 密度が得られ、高周波デバイスへの応用が期待されている。本研究では、2DEG の高い移動度を得るためにヘテロ界面に挿入されるAlN スペーサ層について、その効果の厚さ依存性を調べたので報告する。

机译：近年来，Inaln / GaN结构被引起了AlGaN / GaN Hemt，其广泛地研究了传统上。 Inaln / GaN HEMT结构可以选择待旋转的异质界面的组成比，并且可以期望改善装置的可靠性，因为不会发生变形。另外，由于它具有比AlGaN / GaN更强的自发极化效果，因此在薄的阻挡层中获得高2°密度，并且预期其对高频装置的应用。在这项研究中，我们报告说，检查插入异质界面中的ALN间隔层以获得2℃的高迁移率的ALN间隔层的厚度依赖性。

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来源
《応用物理学会学術講演会;応用物理学会》|2020年|11.299-11.299|共1页
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作者
木村安希; 星井拓也; 宮野清孝; 布上真也; 名古肇; 水島一郎; 依田孝; 角嶋邦之; 若林整; 筒井一生;
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