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【24h】

REACHING A KERF LOSS BELOW 100μm BY OPTIMIZING THE RELATION BETWEEN WIRE THICKNESS AND ABRASIVE SIZE FOR MULTI-WIRE SAWING

机译：通过优化用于多线锯切的线厚度和磨料尺寸之间的关系，达到10μm以下的休闲损失

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Multi-wire sawing is to date by far the most common method to produce wafers from crystallized silicon bricks. A lot of research is undertaken to reduce the kerf to minimize the loss of silicon. In this paper we present experiments in which we achieved a kerf loss of less than 100μm. It was possible to cut wafers successfully with a steel wire of 80μm thickness and F600 silicon carbide particles. The wafers had industrial quality results for surface and geometry. A problem that occurred was some scratches on the wire exit. With an 80μm wire and F2000/F1500 we could not cut wafers of desired quality. As a result of this investigation we conclude that to reduce the kerf it is important to optimize the relation between the wire size and the abrasive size. In general it can be said that for the use of thinner wires also smaller abrasives have to be used to obtain best wafer surfaces.
机译：多线锯目前迄今为止，最常见的方法是从结晶的硅砖生产晶片的最常见方法。 进行了许多研究以减少KERF以最大限度地减少硅的损失。 在本文中，我们存在实验，其中我们实现了小于100μm的Kerf损失。 可以用80μm厚度和F600碳化硅颗粒的钢丝成功切晶晶片。 晶片的表面和几何形状具有工业质量结果。 电线出口上发生的问题是一些划痕。 使用80μm线和F2000 / F1500，我们无法切割所需质量的晶圆。 由于本研究，我们得出结论，减少Kerf，优化电线尺寸和磨料尺寸之间的关系是重要的。 通常可以说，对于使用较薄的线，也必须使用较小的研磨剂来获得最佳晶片表面。

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