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An integrated approach for selective emitter formation

机译：一种选择性发射极形成的综合方法

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Most emitters today are still homogeneous and consequently must fulfill a compromise between good contacting and as low as possible recombination. The selective emitter concept offers a way out by decoupling doping under contacting areas from the rest of the volume to be phosphorus-doped. In order to reach this, we propose to diffuse the emitter through a patterned diffusion barrier with a given diffusion transparency. The integration aspect arises by taking advantage of this same barrier layer as a passivating element for the solar cell and as a key element for the definition of front side metallization pattern. A first step towards an integrated approach for selective emitter formation is proposed here with the establishment of a reference process for emitter tuning by a thermal oxide barrier. The impact of such a barrier on diffusion profiles and related sheet resistance, emitter saturation current and IV characteristics has been investigated.
机译：今天的大多数发射者仍然是同质的，因此必须在良好的接触和尽可能低的重组之间履行折衷。 选择性发射极概念通过从剩余体积的接触区域下解耦掺杂来提供出路，以磷掺杂。 为了达到这一点，我们建议通过具有给定扩散透明度的图案化的扩散屏障将发射器扩散。 通过利用该相同的阻挡层作为太阳能电池的钝化元件以及作为前侧金属化图案的定义的关键元件来产生积分方面。 这里提出了一种促进用于选择性发射极形成的综合方法的第一步，建立了通过热氧化物屏障的发射器调谐的参考方法。 已经研究了这种屏障对扩散型材以及相关薄层电阻，发射极饱和电流和IV特性的影响。

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