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机译:由新的单侧垂直型靶溅射垂直记录介质的性质
Ouchi K.; Ishiguro H.; Institute of Electric and Electronic Engineer;
机译:面向靶溅射方法用于50TB以上盒式磁带的垂直磁记录磁带介质的播放性能
机译:用新型溅射源连续制备的垂直记录介质的性能
机译:高速溅射垂直记录介质的特性
机译:新型单面垂直型靶溅射垂直记录介质的特性
机译:扩展垂直记录介质中的记录密度。
机译:Ru中间层的斜入射溅射用于垂直记录介质中晶间交换的解耦
机译:Ru中间层的斜入射溅射,用于垂直记录介质中晶间交换的解耦
机译:用于制造垂直磁记录介质中的Ni-W-P,Zr中间膜的溅射靶材和使用靶材制造的薄膜
机译:垂直记录介质(Si和B)中的NiW型中间层膜生产用溅射靶材
机译:制造磁记录介质的溅射靶材,垂直磁记录介质的制造方法以及垂直磁记录介质的制造方法
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