• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文会议>Conference on Terahertz Physics, Devices, and Systems >Room temperature terahertz emission from plasmon-resonant high-electron mobility transistors stimulated by optical signals
【24h】

Room temperature terahertz emission from plasmon-resonant high-electron mobility transistors stimulated by optical signals

机译：房间温度太赫兹由光信号刺激的等离子体共振高电子迁移晶体管发射

获取原文
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

We have designed and fabricated our original terahertz plasmon-resonant emitter incorporating doubly interdigitated grating gates and a vertical cavity into an InGaP/TnGaAs/GaAs high-electron mobility transistor (HEMT) structure. The fabricated device is subjected to 1550-nm, 1-mW (a) a single CW-laser, (b) 4-THz photomixed dual CW-laser, and (c) a 70-fs pulsed-lasei illumination at room temperature. In case of (a), terahertz emission due to the plasmon modes of self oscillation is detected by a Si bolometer under certain bias conditions. In case of (b), a resonant peak of injection-locked 4-THz oscillation is clearly observed on the device photoresponse. In case of (c), an impulsive radiation followed by relaxation oscillation is observed by electrooptic sampling, whose Fourier spectrum exhibited resonant peaks of plasmons' harmonic modes up to 4 THz.
机译：我们已经设计和制造了我们的原始Terahertz等离子体谐振发射器，该发射器将双面互连的光栅栅极和垂直腔成形为InGaP / TNGAAS / GaAs高电子迁移率晶体管（HEMT）结构。制造的装置经受1550nm，1-mw（a）单个Cw-Laser，（b）4-THz Photomixed双Cw-Laser，（C）在室温下为70-FS脉冲 - 热量照明。在（a）的情况下，通过Si辐射器在某些偏压条件下检测到由于自振荡的等离子体模式引起的太赫兹发射。在（b）的情况下，在器件光响应上清楚地观察到注射锁定的4-thz振荡的共振峰。在（c）的情况下，通过电光取样观察到脉冲辐射，然后观察到弛豫振荡，其傅里叶光谱表现出最高可达4至4至4至4至4至4至4至Thz的谐振峰。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号