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【24h】

Antireflective Nanostructures for CPV

机译：CPV的抗反射纳米结构

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We have optimized a periodic antireflective nanostructure. The optimal design has a theoretical broadband reflectivity of 0.54% on top of GaInP with an AlInP window layer. Preliminary fabrication attempts have been carried out on top of GaAs substrates. Due to the lack of a window layer, and the need to fine tune the fabrication process, the fabricated nanostructures have a reflectivity of 3.1%, but this is already significantly lower than the theoretical broadband reflectance of standard MgF_2/ZnS bilayers (4.5%).
机译：我们已经优化了周期性抗反射纳米结构。 最佳设计具有0.54％的理论宽带反射率，在GAINP的顶部有一个AlinP窗口层。 在GaAs基材的顶部进行了初步制造尝试。 由于窗口层缺乏，并且需要微调制造过程，所制造的纳米结构具有3.1％的反射率，但这已经显着低于标准MGF_2 / Zns双层的理论宽带反射（4.5％） 。

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