Logic gates; Electric potential; Threshold voltage; Silicon; MOSFET; Semiconductor device modeling; Mathematical model;
机译:三材料圆柱型全方位栅极(TM-CGAA)MOSFET的分析阈值电压模型
机译:具有中心电荷的渐变沟道双材料双栅极应变Si MOSFET的基于中心电势的阈值电压模型
机译:基于二维表面电位的阈值电压模型,用于短沟道非对称重掺杂DG MOSFET
机译:基于中心电位的TM-CGAA MOSFET阈值电压建模
机译:45 nm栅极长度n-MOSFET陷阱引起的阈值电压波动仿真的比较分析和分析模型预测。
机译:宽带隙GaN基HEMT功率器件中取决于高温操作的阈值电压稳定性的模型开发
机译:mOsFET紧凑建模中提取阈值电压与表面电位平带电压的物理关系