反応性プラズマ蒸着法によるITO/a-Si界面化学結合状態の硬X線光電子分光法による評価

机译：反应等离子体蒸发方法评价ITO / A-Si界面化学粘合状态的ITO / A-Si界面化学粘合状态

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ヘテロ接合Si 太陽電池では、a-Si と電極間に透明導電膜(TCO)が挿入される。TCO としてITO が最も多く用いられており、ITO 膜堆積手法として、スループットの高い反応性プラズマ蒸着 (RPD)法が注目されている。一方、a-Si 上にRPD 法を用いてITO 膜を堆積した際に発生するa-Si 表面の損傷およびそれに伴うSiOx 層の形成が懸念される。しかし、ITO/a-Si 界面近傍の化学結合状態の詳細は不明である。本研究では、成膜の際に発生したと考えられるSiOx 層の深さ方向における分布を角度分解硬X線光電子分光法(HAXPES)により評価した。

机译：在异质结Si太阳能电池，在A-Si和电极之间插入透明导电膜（TCO）。ITO最常用为TCO，作为ITO膜沉积方法，高吞吐量备受血浆沉积（RPD）的方法引起了注意力。另一方面，在A-Si上使用RPD方法存放ITO胶片发生的A-Si表面的损伤关于形成与之相关的SiOx层的担忧。然而，ITO / A-Si接口附近的化学粘合条件的细节不是很明显。在这项研究中，它在薄膜形成时产生在可能的SiOx层的深度方向上分布通过角度分辨率硬X射线光电子能谱（HAXPES）评估。

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来源
《応用物理学会秋季学術講演会》|2018年|1 CD-ROM|共1页
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作者
西原達平; 小島拓人; 金井皓輝; 松村英樹; 神岡武文; 大下祥雄; 安野聡; 廣沢一郎; 小椋厚志;
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中图分类物理学;
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