レーザー励起光電子顕微鏡によるReRAMの化学状態の非破壊operando観測

机译：非破坏性手术手术手术手段操作道多功风手术机道Operando Operando Opardo显微镜显微镜

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抵抗変化メモリ（ReRAM)は次世代不揮発性メモリの候補の一つであり、抵抗スィツチングのメ力二ズムは絶縁酸化物の酸ィ匕?還元反応や金属イオンの移動によって起こっていると考えられている。より詳細なメ力ニズム解明に向け、面内に電極を成膜したサンプルのフイラメント観測[1] や、TEMを用レ、たin-situで動的なフィラメント形成が観測されているが[2]、メモリデバイスの信頼性向上等を図るために、非破壊かつ高分解能な顕微手法を用いた実デバイスのフイラメント観測が求められている。そこで、我々は表面?界面の電子状態をnmオーダーの高分解能で観察することができるレーザー励起光電子顕微鏡(Laser-PEEM)[3,4]を用い、より現実的なデバイス構造に近いReRAMのフイラメン卜の非破壊operando観測手法の開発を行っている。

机译：电阻变化存储器（RERAM）是下一代非易失性存储器候选之一，并且认为电阻摇动的重量被认为是由氧化氧化物氧化物或金属离子的运动引起的。为了更详细地推销阐明，使用沉积在平面[1]和TEM中的样品的样品丝观察，用原位[2以提高内存器件等的可靠性，观察动态丝形成。需要使用非破坏性和高分辨率微量测量仪的真实装置的纤维化观察。因此，我们使用激光泵电子显微镜（激光PEEM）[3,4]，可以观察界面表面的电子状态，具有高分辨率NM级，并且更接近更现实的设备结构纪录我们正在开发一种非破坏性的手法式观察方法。

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来源
《応用物理学会春季学術講演会》|2018年|1 CD-ROM|共1页
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作者
川北純平; 島久; 内藤泰久; 秋永広幸; 谷内敏之; 辛埴;
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正文语种
中图分类物理学;
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