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首页> 外文会议>Microelectronics technology and devices - SBMicro 2010 >Multiple Position Sensitive Optical Photodetector
【24h】

Multiple Position Sensitive Optical Photodetector

机译：多位置灵敏光电探测器

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摘要

Light incident on a p-n junction produces a photo-voltage across the junction. If the junction is non-uniformly irradiated, the photo-voltage will vary with position, producing an additional signal parallel to the junction plane (1). This effect may be used to build a position sensitive photocell. This was first investigated and demonstrated by Wallmark (2). Based on this effect, several kinds of optical position sensitive sensor devices have been built. Such devices are able to determine the location of an incident spot light on their surface and are used in applications that cover different areas, like mechanical alignment, zero position tracing, etc. The main advantage of these devices over arrayed detectors is that there are no discontinuities on the signal. Two features are best considered to determine the good functionality of the device, the linearity of the transfer function and sensitivity (3-5). In this work, we present fabrication and characterization of multiple Position Sensitive photo-Detectors (PSD).
机译：入射在p-n结上的光会在结上产生光电压。如果对结的照射不均匀，则光电压会随位置而变化，从而产生一个平行于结平面（1）的附加信号。该效应可用于构建位置敏感的光电管。 Wallmark（2）首先对此进行了调查和论证。基于这种效果，已经建立了几种光学位置敏感传感器装置。这种设备能够确定入射光在其表面上的位置，并用于覆盖不同区域的应用中，例如机械对准，零位置跟踪等。这些设备相对于阵列检测器的主要优点是没有信号不连续。最好考虑两个特征来确定设备的良好功能，即传递函数的线性和灵敏度（3-5）。在这项工作中，我们介绍了多个位置敏感光电检测器（PSD）的制造和表征。

著录项

  • 来源
  • 会议地点 Sao Paulo(BR);Sao Paulo(BR)
  • 作者

    E.L. de Souza; G.C. Pesenti; H. Boudinov; R.R.B. Correia;

  • 作者单位

    Institute de Fisica, UFRGS, Av. Bento Goncalves 9500, Porto Alegre, RS 91501-970, Brazil;

    Institute de Fisica, UFRGS, Av. Bento Goncalves 9500, Porto Alegre, RS 91501-970, Brazil;

    Institute de Fisica, UFRGS, Av. Bento Goncalves 9500, Porto Alegre, RS 91501-970, Brazil;

    Institute de Fisica, UFRGS, Av. Bento Goncalves 9500, Porto Alegre, RS 91501-970, Brazil;

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  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 半导体技术;
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