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首页> 外文会议>Microelectronics technology and devices - SBMicro 2011 >Platinum to kill lifetime in power diode design
【24h】

Platinum to kill lifetime in power diode design

机译：铂金可缩短功率二极管设计的使用寿命

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An ultrafast power diode is designed and simulated aiming a simple and low cost fabrication process. It is limited to use not implantation process and to use a deep diffusion. The main parameters to fabricate this structure were studied using SRH and Auger recombination models for the lifetime, Crowell model for impact and high injection current considerations to lifetime. The lifetime reduction was performed by adjusting the parameters of capture cross section and density and Energy-level position of platinum. A breakdown voltage of more than 600 V and reverse recovery times less than 35 ns were obtained for a p+nn+ structure, with an epilayer of 50 μm thickness and doping of 2 to 3 × 10~(14) cm~(-3).
机译：针对简单，低成本的制造工艺，设计并仿真了一种超快功率二极管。它被限制为不使用注入工艺并使用深扩散。使用SRH和Auger重组模型对寿命进行了研究，研究了制造该结构的主要参数，考虑了冲击和高注入电流对寿命的考虑采用了Crowell模型。通过调节铂的俘获截面和密度以及能级位置的参数来减少寿命。对于p + nn +结构，其外延层厚度为50μm，掺杂浓度为2至3×10〜（14）cm〜（-3），击穿电压超过600 V，反向恢复时间低于35 ns。 。

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