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Design of MMIC LNA for 1.9GHz CDMA Portable Communication

机译：用于1.9GHz CDMA便携式通信的MMIC LNA设计

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This work describes an on-chip matchign MMIC LNA which was optimized for noise figure by careful selection of FET size, bias, and thorough consideration of its gamma opt and Rn chaaracteristics. A new in-house developed inductor model and real-world extracted EEFET3 model are employed in order to assure accurate simulation. Source peaking technique is used to lower input return loss. The developed on-chip matching LNA shows strong robustness that makes it easy to be fabricated with the existing 0.5-um GaAs MESFET process. Its low current consumption (3.2 mA) and high linearity (P_in, 1dB=-8 dBm, I_IP3 = 7.6 dBm, ACPR = -70 dBc) also make it suitable for CDMA portable wireless communication.
机译：这项工作描述了一个片上Matchign MMIC LNA，它通过仔细选择FET的尺寸，偏置以及充分考虑其伽马系数和Rn特性来优化噪声系数。为了确保精确的仿真，采用了新的内部开发的电感器模型和实际提取的EEFET3模型。源峰化技术用于降低输入回波损耗。所开发的片上匹配LNA具有很强的鲁棒性，可以很容易地使用现有的0.5um GaAs MESFET工艺进行制造。其低电流消耗（3.2 mA）和高线性度（P_in，1dB = -8 dBm，I_IP3 = 7.6 dBm，ACPR = -70 dBc）也使其适用于CDMA便携式无线通信。

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