Influence of irregular growth of monoatomic steps during Si/Si(001)epitaxy on generation of surface defects

著录项

• 来源
  《Nanotechnology VI》|2013年|87660M.1-87660M.8|共8页
• 会议地点 Grenoble(FR)
• 作者

  Larisa V. Arapkina; Vladimir A. Yuryev;

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• 作者单位

  A. M. Prokhorov General Physics Institute of RA S, 38 Vavilov Street, Moscow, Russia;

  A. M. Prokhorov General Physics Institute of RA S, 38 Vavilov Street, Moscow, Russia;

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• 会议组织
• 原文格式 PDF
• 正文语种 eng
• 中图分类
• 关键词

  Si epitaxial films on Si(001); structure of Si(001)surface; defects of Si(001)surface; Si(001)vicinal surface; Si epitaxial films on Si(001)vicinal surface; scanning tunneling microscopy; Si surface preparation to formation of nanostructures; monoatomic steps;

  机译：Si（001）上的Si外延膜; Si（001）表面的结构； Si（001）表面缺陷； Si（001）邻面; Si（001）邻近表面上的Si外延膜；扫描隧道显微镜硅表面制备以形成纳米结构；单原子步骤;