Laboratoire Liquides Ioniques et Interfaces Chargees (UMR 7612) 4 place Jussieu, boite postale 51, 75252 Paris 05, France;
机译:AFM证明通过原子层化学气相沉积(ALCVD)生长的纳米氧化钒薄膜的二维再结晶过程
机译:通过原子层化学气相沉积(ALCVD)沉积具有硫化铟缓冲层的高效铜铟镓硒(CIGS)太阳能电池
机译:用于下一代纳米器件的Hf和Zr硅酸盐和铝酸盐高k栅极电介质的原子层化学气相沉积(ALCVD)
机译:通过原子层化学气相沉积获得的V_2O_5薄膜的结构和电化学性能(ALCVD)
机译:金属有机化学气相沉积和原子层沉积方法,用于从二烷基酰胺前体中生长ha基薄膜,用于高级CMOS栅极堆叠应用
机译:通过原子层沉积和化学气相沉积在高纵横比结构中沉积的薄膜的ToF-SIMS 3D分析
机译:印度掺杂的氧化锆多层薄膜通过原子层沉积合成的IT-SOFCS:合成和电化学性能
机译:氧化欠电位沉积硫的薄层电化学研究及其在Cds电化学原子层外延沉积中的应用。 2. sTm研究。 (重新公布新的可用性信息)