Very low amplified spontaneous emission threshold from a molecular host-guest energy-transfer system and electroluminescence from light-emitting diode structure

著录项

• 来源
  《Optical materials in defence systems technology VI》|2010年|P.748703.1-748703.10|共10页
• 会议地点 Berlin(DE)
• 作者

  Stefano Toffanin; rnRaffaella Capelli; rnGianluca Generali; rnTsyr-Yuan Hwu; rnKen-Tsung Wong; rnRoberto Zamboni; rnMichele Muccini;

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• 作者单位

  Consiglio Nazionale delle Ricerche (CNR), Istituto per lo Studio dei Materiali Nanostrutturati (ISMN), via P. Gobetti 101,I-40129 Bologna, Italy;

  rnConsiglio Nazionale delle Ricerche (CNR), Istituto per lo Studio dei Materiali Nanostrutturati (ISMN), via P. Gobetti 101,I-40129 Bologna, Italy;

  rnConsiglio Nazionale delle Ricerche (CNR), Istituto per lo Studio dei Materiali Nanostrutturati (ISMN), via P. Gobetti 101,I-40129 Bologna, Italy;

  rnDepartment of Chemistry, National Taiwan University, Taipei 106, Taiwan;

  rnDepartment of Chemistry, National Taiwan University, Taipei 106, Taiwan;

  rnConsiglio Nazionale delle Ricerche (CNR), Istituto per lo Studio dei Materiali Nanostrutturati (ISMN), via P. Gobetti 101,I-40129 Bologna, Italy;

  rnConsiglio Nazionale delle Ricerche (CNR), Istituto per lo Studio;

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• 会议组织
• 原文格式 PDF
• 正文语种 eng
• 中图分类 应用光学;
• 关键词

  ASE threshold; host-guest system; diarylfluorene derivative; energy transfer; OLED;

  机译：ASE阈值；主客系统二芳基芴衍生物;能量转移；有机发光二极管;