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Advances of AlGaN-based High-Efficiency Deep-UV LEDs

机译：AlGaN基高效深紫外LED的研究进展

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We demonstrated AlGaN-based multi-quantum-well (MQW) deep-ultraviolet (UV) light-emitting diodes (LEDs) with wavelengths in the range of 222-351 nm, fabricated on low threading dislocation density (TDD) A1N template on sapphire. High internal quantum efficiency (IQE) of 50-80% was observed from AlGaN or quaternary InAlGaN MQWs by fabricating them on low TDD A1N templates. Also, an electron injection efficiency (EIE) was markedly improved by using multi-quantum barrier (MQB). Over 20 mW cw output power was obtained for 256-275 nm LEDs, which will be useful for sterilization applications. The maximum external quantum efficiencies (EQEs) were 1.8 and 2.75% for 247 and 270 nm AlGaN-LEDs, respectively.
机译：我们展示了在蓝宝石上的低穿线位错密度（TDD）A1N模板上制造的基于AlGaN的多量子阱（MQW）深紫外（UV）发光二极管（LED），其波长范围为222-351 nm。 。通过在低TDD AlN模板上制造AlGaN或四元InAlGaN MQW，可以观察到50-80％的高内部量子效率（IQE）。另外，通过使用多量子势垒（MQB），电子注入效率（EIE）显着提高。对于256-275 nm LED，获得了超过20 mW的cw输出功率，这将对灭菌应用非常有用。 247和270 nm AlGaN-LED的最大外部量子效率（EQE）分别为1.8％和2.75％。

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