Department of Electronic Systems Engineering, University of Essex, Wivenhoe Park, Colchester CO4 3SQ, UK;
机译:InGaAs / GaAs量子点在垂直腔半导体光放大器中的应用潜力
机译:集成了MEMS膜的量子点垂直腔半导体光放大器中光学双稳态的对比度和磁滞宽度
机译:用于通信系统的稀氮化物量子阱垂直腔半导体光放大器的光学设计
机译:垂直腔半导体光放大器:物理和应用
机译:垂直腔半导体光放大器的非线性特性及其应用
机译:基于GaInNAs的Hellish垂直腔半导体光放大器用于1.3μm工作
机译:1300nm GainAsb / GaAs垂直腔半导体光放大器的光学分析
机译:用于WDm应用的增益钳位,无串扰,垂直腔激光半导体光放大器