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首页> 外文会议>Photomask and Next-Generation Lithography Mask Technology XIV pt.2; Proceedings of SPIE-The International Society for Optical Engineering; vol.6607 pt.2 >Inverse Lithography Technology (ILT) A Natural Solution for Model-based SRAF at 45nm and 32nm
【24h】

Inverse Lithography Technology (ILT) A Natural Solution for Model-based SRAF at 45nm and 32nm

机译：反光刻技术（ILT）是基于模型的45nm和32nm SRAF的自然解决方案

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In this paper, we present the Luminescent's ILT approach that can rapidly solve for the optimal photomask design. We will discuss the latest development of ILT at Luminescent in the areas of sub-resolution assist feature (SRAF) generation, process-window-based ILT and mask rule compliance (MRC). Results collected internally and from customers demonstrate that ILT is not only an R&D tool, but also a tool quickly maturing for production qualification at advanced technology nodes. By enforcing the proper constraints while optimizing the masks, ILT can improve process windows while maintaining mask costs at a reasonable level.
机译：在本文中，我们介绍了可快速解决最佳光掩模设计的Luminescent ILT方法。我们将在子分辨率辅助功能（SRAF）生成，基于过程窗口的ILT和掩码规则合规性（MRC）方面讨论ILT在发光技术方面的最新发展。内部和从客户那里收集的结果表明，ILT不仅是一种研发工具，而且还是一种快速成熟的工具，可以在高级技术节点上迅速获得生产资格。通过在优化掩模时执行适当的约束，ILT可以改善工艺窗口，同时将掩模成本保持在合理的水平。

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