• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文会议>Photonic Processing Technology and Applications II >Nonlinear interface optical switch structure for dual mode switching revisited
【24h】

Nonlinear interface optical switch structure for dual mode switching revisited

机译：再谈双模切换的非线性接口光开关结构

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

Abstract: There is a need for devices which will allow integration of photonic/optical computing subsystems into electronic computing architectures. This presentation reviews the nonlinear interface optical switch (NIOS) concept and then describes a new effect, the erasable optical memory (EOM) effect. We evaluate an extension of the NIOS device to allow simultaneous optical/electronic, i.e. dual mode, switching of light utilizing the EOM effect. Specific devices involve the fabrication of thin film tungsten (VI) oxide (WO$-3$/) and tungsten (V) oxide (W$-2$/O$-5$/) on the hypotenuse of glass (BK-7), fused silica (SiO$-2$/) and zinc selenide (ZnSe) right angle prisms. Chemical reactions and temporal response tests were performed and are discussed. !26
机译：摘要：需要一种允许将光子/光学计算子系统集成到电子计算体系结构中的设备。本演示文稿回顾了非线性接口光开关（NIOS）的概念，然后描述了一种新的效果，即可擦除光存储器（EOM）效果。我们评估了NIOS设备的扩展，以允许利用EOM效应同时进行光/电（即双模）光切换。具体设备涉及在玻璃斜边（BK-7）上制造薄膜氧化钨（VI $ -3 $ /）和氧化钨（V）氧化物（W $ -2 $ / O $ -5 $ /）。 ），熔融石英（SiO $ -2 $ /）和硒化锌（ZnSe）直角棱镜。进行了化学反应和时间响应测试并进行了讨论。 ！26

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号