V.Lashkarev Institute of Semiconductor Physics, NAS Ukraine Prospect Nauiki, 41, Kiev, Ukraine, 03028;
V.Lashkarev Institute of Semiconductor Physics, NAS Ukraine Prospect Nauiki, 41, Kiev, Ukraine, 03028;
chalcogenide thin films; optical properties; photoinduced changes;
机译:GD〜(3+)掺杂对光电和非线性应用的PBI_2 / FTO薄膜线性和非线性光学性能的影响
机译:Z扫描技术研究的二氧Ph磷BYE掺杂的PMMA薄膜的三阶光学非线性和光限制特性
机译:脉冲激光沉积GeAsSe薄膜的非线性光学特性和非线性定向耦合器开关的仿真
机译:Ge-AS-S膜的线性和非线性光学性能
机译:银纳米粒子单层薄膜的线性和非线性光学性质。
机译:含Si的类金刚石碳膜:结构和非线性光学性质
机译:光学非线性Langmuir-Blodgett膜:基材对膜结构和线性光学性质的影响。