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首页> 外文会议>Photonics for solar energy systems III >Electromagnetic propagation in multilayered nanomodified heavily doped Si:P systems
【24h】

Electromagnetic propagation in multilayered nanomodified heavily doped Si:P systems

机译：多层纳米改性重掺杂Si：P系统中的电磁传播

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摘要

Investigation of some light-matter interactions in Multi-Interface Novel Devices (MIND) containing a nanoscale Si-layered system have led to a method for predicting free-carrier density dependent nonlinear optical properties as a function of doping, light excitation intensity and carrier injection. The approach is based on the well-known t-matrix approximation. A simplified a few-layer optical model has been constructed that will reproduce the main features/parameters of real systems. The degree of model and simulation self-consistency is discussed using basic physical functions and published experimental data.rnNear perfect agreement between the simulated model and the corresponding experimental results has been obtained. In this way, the simulation allowed us to determine the main origins/components of the strong optical nonlinearity characteristic of one of the most specific MIND behaviours.
机译：对包含纳米级硅层系统的多接口新型器件（MIND）中某些光物质相互作用的研究导致了一种预测随掺杂，光激发强度和载流子注入而变化的，取决于自由载流子密度的非线性光学性质的方法。该方法基于众所周知的t矩阵近似。已构建了简化的几层光学模型，该模型将重现实际系统的主要特征/参数。利用基本的物理函数和公开的实验数据讨论了模型与仿真的自洽程度。rn获得了仿真模型与相应实验结果之间的近乎完美的一致性。这样，仿真使我们能够确定最具体的MIND行为之一的强光学非线性特性的主要来源/组成部分。

著录项

  • 来源
    《Photonics for solar energy systems III》|2010年|P.77251B.1-77251B.8|共8页
  • 会议地点 Brussels(BE)
  • 作者

    Z.T. Kuznicki; M. Basta;

  • 作者单位

    Photonic Systems Laboratory, ENSPS Pole API Pare d'Innovation, Boulevard Sebastien Brant, BP 10413, 67400 Illkirch, France;

    rnPhotonic Systems Laboratory, ENSPS Pole API Pare d'Innovation, Boulevard Sebastien Brant, BP 10413, 67400 Illkirch, France;

  • 会议组织
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 应用光学;太阳能技术;
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