【24h】

GaN-based blue-violet laser diodes

机译:GaN基蓝紫色激光二极管

获取原文
获取原文并翻译 | 示例

摘要

Studies on first GaN-based blue-violet laser diodes(LDs) by metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) in mainland China are reported. Ridge geometry waveguide laser diodes are fabricated with cleaved facet mirrors and operated at room temperature under pulse current injection. The lasing wavelength is 400-415nm, the threshold current density is about 3.5- 6kA/cm~2 and the maximum output light power is over 100 mW.
机译:据报道,中国大陆首次通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)研究了基于GaN的蓝紫色激光二极管(LD)。脊几何波导激光二极管由劈开的小平面镜制成,并在室温下通过脉冲电流注入工作。激光波长为400-415nm,阈值电流密度约为3.5-6kA / cm〜2,最大输出光功率超过100mW。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号