自立GaN 基板上nドリフト層のパルス陽極酸化によるエッチング

机译：通过脉冲阳极氧化在独立式GaN衬底上蚀刻n漂移层

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自立GaN 基板を用いた縦型デバイスにおいて、トレンチゲート構造のMISFET などの場合[1]、rnエッチング面がMIS 界面となるため、ウエットエッチングの様な低ダメージエッチングが望ましrnい。GaN は安定な材料であるが、光アシストによる電気化学(PEC)エッチングにより、ウエットエrnッチングが可能である[2, 3]。しかし、サファイヤ基板上の転位密度109 cm-2 台の報告が多く、自立rn基板上の報告、特にnドリフト層に関するものは少ない。今回、転位密度106 cm-2 台の自立基板rn上に成長したn層について、パルス陽極酸化によるウエットエッチング行い、エッチングに必要rnな電荷量やエッチング面の粗さについて調査したので、その結果について報告する。

机译：在使用独立式GaN衬底的垂直器件中，例如沟槽栅结构MISFET [1]，n蚀刻表面是MIS界面，因此需要低损伤的蚀刻（例如湿法蚀刻）。 GaN是一种稳定的材料，但是光辅助电化学（PEC）蚀刻可以进行湿蚀刻[2，3]。但是，有许多报道表明蓝宝石衬底上位错密度为109 cm-2，关于独立式rn衬底，特别是关于n漂移层的报道很少。这次，对位错密度为106cm -2的自支撑基板rn上生长的n +层进行了通过脉冲阳极氧化的湿式蚀刻，研究了蚀刻所需的rn电荷量和被蚀刻面的粗糙度。报告。

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来源
《2018年第65回応用物理学会春季学術講演会講演予稿集》|2018年|12.171|共1页
会议地点
作者
堀切文正; 成田好伸; 吉田丈洋;
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作者单位

(株)サイオクス fumimasa-horikiri@ya.sumitomo-chem.co.jp;

(株)サイオクス;

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