大気圧熱プラズマジェット照射によるGaN 中のMg の活性化

机译：大气热等离子体射流辐射活化GaN中的Mg

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我々はこれまでに薄膜Si の溶融結晶化やSiC 中の不純物活性rn化などに短時間で高温熱処理が可能な大気圧熱プラズマジェットrn(TPJ)を用いた様々な高速および高温の熱処理研究に取り組んできrnた[1-2]。本研究ではTPJ 照射によりイオン注入したGaN 中のMg 不rn純物活性化熱処理を試みた。

机译：迄今为止，我们一直在进行使用常压热等离子体射流（TPJ）的各种高速和高温热处理研究，TPJ可以在短时间内进行高温热处理，例如薄膜Si的熔融结晶和SiC中杂质的活化。我一直在努力[1-2]。在这项研究中，我们尝试了热处理以活化TPJ辐照注入的GaN中的Mg未纯化的GaN。

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来源
《2018年第65回応用物理学会春季学術講演会講演予稿集》|2018年|12.173|共1页
会议地点
作者
花房宏明; 東清一郎; 塩崎宏司;
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作者单位

広大院先端研 semicon@hiroshima-u.ac.jp;

広大院先端研;

名大未来研;

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